制造一颗AI芯片的激光器需要什么衬底？数据中心电源管理用什么功率器件？高功耗GPU的精准温控靠什么材料？芯片基板的精密加工用什么刀具？ 答案是 小金属 。这些金属单体市场极小（年产量几百到几万吨），但 每一条算力供应链 都绕不开它们。 核心金属（红框标注） ： 铟、锗、钨、钼、碲 ——与AI算力直接相关、需求增速最高、边际拉动最强，是本文深度研究部分。 外围金属 ： 镓、铋、锑 ——与算力有关联但不是最核心的驱动因素，作为补充。 一 、 算力传导链：AI需求如何传导到小金属 传导路径一：AI→光互连→铟/镓/锗 传导链条： AI集群GPU互联→800G/1.6T光模块放量→InP衬底需求爆发→铟消耗量增长→但铟供给受限于锌矿产量→供需缺口扩大→铟价上涨 平行链条： GaAsVCSEL芯片需求增长→镓消耗增加→镓出口管zhi收紧供给→镓价支撑 旁支链条： 数据中心光纤铺设增长→锗光纤芯材需求增加→锗出口管zhi收紧→锗价上涨 传导路径二：AI→制造工具→钨/钼（这一类金属是国内产量最高也是zhan略意义较大的小金属品类，春秋研究院有过深度的研究，近期相关跟踪可移步格知研究《科技上游关键金属矿资源供应持续紧张》一文看最新进展） 传导链条： AI芯片出货增长→芯片基板/封装加工量增加→硬质合金刀具(钨基)消耗增加→钨需求增长→出口管zhi收紧→钨价支撑 这条链路是间接的，传导时间较长（1-2年），且钨市场体量大（8万吨），边际弹性较弱。但钨的战略垄断度最高（82%），管制确定性强。 传导路径三：AI→封装互连→铟/铋 传导链条： 先进封装(CoWoS/HBM)需求增长→互连密度提升→铟锡焊料/铋基无铅焊料用量增加→铟/铋需求增长 先进封装中micro-bump的焊料用量虽小，但凸点数量是传统封装的10-100倍，总用量不容忽视。这条链路目前贡献的绝对量不大，但增速很快（20%+/年）。 传导路径四：AI→热管理→碲/铋 传导链条 ：AI芯片功耗飙升(H100→700W,B200→1200W)→精准温控需求增加→热电制冷片(TEC)用量增长→Bi₂Te₃热电材料需求→碲/铋消耗增加 逻辑： 传统风冷/液冷控制的是环境温度，而TEC可以实现芯片级精准控温（±0.1°C），对高功耗AI芯片的光学互连稳定性至关重要。每颗AI光模块内的激光器都需要TEC控温。 根据以上传导链条来看 五大核心小金属 ：（核心金属是直接决定光模块、芯片等核心部件的性能，且几乎全为供给弹性极低的伴生矿，中 通过严格的出口管zhi掌握绝对主导权） 2025-2028年是算力小金属供需矛盾最尖锐的窗口期。管zhi效应全面释放需要1-2年（海外库存消化期），AI需求从订单到放量需要1-2年，两者在2026-2027年形成最强共振。2028年后若海外替代供给跟进、回收技术突破，矛盾可能缓解。 二 、 为什么时间窗口期是现在？ 因素一：出口管zhi持续升级 2023.8：锗、镓出口管zhi 2024.9：锑出口管zhi 2025.2：钨、碲、铋、钼、铟出口管zhi 管Z清单本身是算力小金属战略价值排行榜，被管Z的品种，就是认定的不可替代ZHAN略金属。 因素二：AI算力需求爆发 2024：800G光模块量产，AI数据中心放量 2025：1.6T光模块导入，InP需求跃升 2025-2026：B200/GB200量产，芯片功耗翻倍→TEC需求爆发 2026-2028：硅光子+CPO技术扩散，InP需求二次加速 AI集群的GPU:光模块比从1:2升至1:4甚至1:8，光互连密度指数级上升。 因素三：全球供给触顶信号 铟：全球锌矿产量2022年见顶后徘徊，粗铟供给增量接近零 锗：国内 铅锌冶炼产能稳定，海外煤矿闭产减少锗原料 碲：全球铜矿副产碲增速放缓，品位下降趋势确立 钨：国内 钨矿开采配额制，海外钨矿品位下降 所有核心算力小金属的供给增速都在0-2%之间，而AI拉动后的需求增速在5-15%。供需增速差就是价格弹性。 综合以上三点，可以看到小金属定价的核心不是总供需是否平衡，而是 边际需求增量能否被供给吸收： 铟（5年+）>碲（4-5年）≈锗（4年）>镓（3-4年）>钨≈锑≈铋（2-3年）>钼（2年）。铟和碲是时间的朋友，持有越久，AI需求复利增长带来的供需矛盾越尖锐；钼2年后海外供给可能跟进，拉动效应消退。 三、磷化铟(InP)深度拆解：从需求到铟消耗 综上，可以看到磷化铟或许是市场上目前研究不充分、但可能最具价值的一环，InP是800G/1.6T光模块中激光器和探测器的核心衬底，也是硅光子集成芯片的关键异质集成材料。 InP 对铟的消耗量测算： InP晶体中铟的质量占比=In(114.8)/InP(145.8)=78.7% 4英寸InP晶片重量约25-30克→含铟约20-2
